专题

2016.09.02 学术报告:原子层沉积技术在纳米结构合成及改性中的应用

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时间:2016-08-29  来源:瞬态室文本大小:【 |  | 】  【打印

  时间:201692日上午9:30 

  地点:瞬态室3楼会议室 

  报告人:冯昊  

  报告摘要:  

  原子层沉积atomic layer deposition, ALD是一种前沿的表面工程与纳米加工技术。该技术通过交替发生的表面化学反应实现原子级精度的可控薄膜生长。借助ALD可在具有复杂几何结构的基底表面精确实现多种纳米结构的可控合成。本报告将系统介绍ALD技术的基本原理、设备构成和过程实现方法,并列举该技术在纳米催化结构制备及改性、纳米含能材料可控合成、微通道反应器内壁抗积碳钝化薄膜加工中的应用实例,并将对ALD技术在光电前沿领域如特种光学薄膜、原子层沉积新型微通道板、超级平面透镜、深空X射线探测器等应用进行探讨。 

  报告人简介:  

  冯昊,西安近代化学研究所研究员。2002年于北京大学取得学士学位,2007年于美国西北大学取得化学博士学位。2008-2011年在美国能源部阿贡国家实验室工作。2011年回国加入西安近代化学研究所,担任研究所级科技带头人,组建材料表面工程与纳米修饰实验室。现主要从事基于ALD技术的基础与应用研究。在先进ALD装置研发、纳米催化、纳米含能材料、纳米功能薄膜材料等领域开展了开创性研究工作。回国后先后主持国家自然科学基金、人社部留学归国人员择优经费资助、总装×××专项子课题、国家××××工程子课题、高超音速推进技术国家重点实验室基金、火炸药燃烧国防重点实验室基金等科研项目,在ACS Catalysis, Journal of Catalysis, Chemistry of Materials, Journal of Physical Chemistry等高水平国际科技期刊发表研究论文20余篇,研究成果被应用于国家某重点工程技术瓶颈攻关。冯昊于2012年入选陕西省“百人计划”青年项目,于2014年入选中组部“万人计划”特需领域青年拔尖人才。