专利名称:   原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
英文名称:  
专利号:   CN108588680A
专利类别:  
专利证书号:  
申请号:   CN201810489472.6
第一发明人:   中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日期:   2018-5-21
专利授权日期:   2018-9-28
国外申请日期:  
国外申请方式:  
缴费情况:  
实施情况:   审查中
专利摘要:  
其它备注:  
   

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