中国科学院西安光学精密机械研究所

专利名称:

原子层沉积制备W掺杂Al₂O₃高阻薄膜的方法

英文名称:

专利号:

CN108588679A

专利类别:

专利证书号:

申请号:

CN201810489471.1

第一发明人:

中国科学院西安光学精密机械研究所

申请日期:

2018-5-21

专利授权日期:

2018-9-28

国外申请日期:

国外申请方式:

缴费情况:

实施情况:

审查中

专利摘要:

其它备注:

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