专利名称:   一种EBCMOS成像的自适应非均匀噪声校正方法
英文名称:  
专利号:   CN117201956A
专利类别:   发明申请
专利证书号:  
申请号:   CN202310786822.6
第一发明人:   中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日期:   2023-06-29
专利授权日期:   -
国外申请日期:  
国外申请方式:  
缴费情况:  
实施情况:  
专利摘要:  
其它备注:  
   

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