报告题目：Deep ultraviolet solid-state laser for hybrid ArF excimer laser
　　报告时间：2019年4月28日 上午10:00
　　报告地点：5号楼3楼大会议室
　　报告摘要：
　　High power, high coherence 193-nm laser is beneficial to the interference lithography process, which could be another solution to the advanced lithography in the future. The ArF excimer amplifier seeded by a solid-state 193-nm laser is a powerful light source to achieve both high power and high coherence. In the presentation, a watt-level solid-state 193-nm laser seed for will be introduced. This 193-nm laser has been successfully applied to seed a hybrid ArF excimer laser system for the lithography as well as the laser machining. Meanwhile, a high power and high beam quality deep ultraviolet laser at 258 nm will be also included.
　　报告人简介：
　　玄洪文，男，1982年10月出生。山东大学光信息科学与技术专业本科（2006）, 北京理工大学光学工程硕士（2008），中国科学院物理研究所博士(2012)。2012年10月-2017年3月，日本东京大学物性研究所特任研究员。在东京大学工作期间，长期从事光纤放大、YAG固体放大及光学频率变换研究，特别是在深紫外258nm 及193 nm等波长，取得了创新性的成果。2017年6月起为德国汉堡大学Research Associate， 在德国电子加速器中心（DESY）参与片上加速（ACHIP）的国际合作项目，主要负责高平均功率飞秒掺铥光纤激光器的开发。