离子电子成像探测器用于带电粒子的探测和成像，可用于对目标粒子的分布进行探测。探测器读出主要包括荧光屏读出和位敏阳极读出，采用荧光屏读出时可以和CCD耦合构成ICCD。
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技术指标 | |
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探测目标 |
电子/离子等带电粒子 |
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探测能量 |
0.1～30keV |
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探测面积（直径） |
Ф18～Ф100mm |
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空间分辨率 |
20lp/mm |
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读出方式 |
荧光屏/位敏阳极 |
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离子、电子成像探测器
离子电子成像探测器用于带电粒子的探测和成像，可用于对目标粒子的分布进行探测。探测器读出主要包括荧光屏读出和位敏阳极读出，采用荧光屏读出时可以和CCD耦合构成ICCD。
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技术指标 | |
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探测目标 |
电子/离子等带电粒子 |
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探测能量 |
0.1～30keV |
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探测面积（直径） |
Ф18～Ф100mm |
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空间分辨率 |
20lp/mm |
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读出方式 |
荧光屏/位敏阳极 |
陕公网安备 61019002000969号